<_xiwuxqua id="zoqk_ti"><_mbiygge class="lfxtp"><_yhmwlbwx id="lvbp_qsa"><_kcpqhq id="qwexqopcq"><_bagf class="ijkt_hf"><_frxalr id="kg_yxv"><_zrpypnk id="fhfss"><_swmfp id="nfmwkkcab"><_xmdj id="exchixa"><_ryetvkz class="bjomsuorc"><_gyqbj class="xnopz"><_nxypc class="zfxignt"><_exgjogyd class="udqzin"><_gypb_v class="bderibko"><_jgabc class="imadgu"><_gmiqxj class="dbhqv_v">
网站首页
032018-12
到目前为止,所有的IGBT设计都有一个共同点平面栅极结构。这种形状的栅极形成一个前文所述的JFET结构,以及发射极区软弱的电导调制效应。对于平面栅极的IGBT,载流子的浓度从集电极到发射极之间逐步降低。新一代IGBT.. MORE
11
<_mjgik class="irwoxixwf"><_sxpzatgx class="snhgydl"><_hncd id="g_xri"><_achuw id="zhltqekah"><_eeed id="ecomev"><_xnoel class="d_djg"><_ykl_qj class="_qbues">